ケイ素を含むGd多ホウ化物とその製造方法

開放特許情報番号
L2006004817
開放特許情報登録日
2006/9/1
最新更新日
2015/10/5

基本情報

出願番号 特願2000-086202
出願日 2000/3/27
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2001-270712
公開日 2001/10/2
登録番号 特許第3427180号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ケイ素を含むGd多ホウ化物とその製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 熱電素子材料、磁性素子材料、発光素子
目的 従来ガドリニウム化合物には知られていない全く新しい組成と構造を有し、磁性素子材料、また、伝導が半導体的であり、ガドリニウムを十分含んでいるので、発光素子等に利用可能な新しいタイプのGd−B−Si系化合物とその製造方法の提供。
効果 いままでにはGd化合物では存在しなかった、YB↓(50)型構造の、−1.4<;Yケイ素を含むGd多ホウ化物を提供でき、熱電素子材料や磁性素子材料等としての応用展開がきわめて有望視される。
技術概要
 
本技術は、磁性素子材料、また、伝導が半導体的であり、ガドリニウムを十分濃度含んでいる、発光素子等に利用可能な新しいタイプのGd−B−Si系化合物を提供するもので、一般式GdB↓(44+X)Si↓(1.8+Y)(−8<X<8, −1.4<Y<1.4)で示されるケイ素を含むGd多ホウ化物である。このようなケイ素を含むGd多ホウ化物を製造するための方法としては、ガドリニウムに対するホウ素の比が44+X(−8<X<8)で、ガドリニウムに対するケイ素の比が1.8+Y(−1.4<Y<1.4)となるように、ガドリニウムホウ化物にホウ素とケイ素を混合し、その混合物を真空下または不活性ガス下で1400℃以上2200℃以下で固相反応する製造方法が挙げられる。また、ガドリニウムに対するホウ素の比が44+X(−8<X<8)で、ガドリニウムに対するケイ素の比が1.8+Y(−1.4<Y<1.4)となるように、ガドリニウムホウ化物にホウ素とケイ素を混合し、その混合物を真空下または不活性ガス下で溶融する製造方法が挙げられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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