酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC−MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC−MOS型集積回路、並びにSiC−MOS型半導体装置およびSiC−MOS型集積回路の製造装置

開放特許情報番号
L2006004690
開放特許情報登録日
2006/8/25
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2005-093279
出願日 2005/3/28
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2005-311352
公開日 2005/11/4
登録番号 特許第4567503号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、SiC基板の酸化方法とそれを用いたSiC−MOS型半導体装置およびそれを用いたSiC−MOS型集積回路
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 パワーデバイス用の縦型SiC−MOSFETのゲート酸化膜、SiCのメモリ用の容量酸化膜
目的 従来の陽極酸化で適用される,100Vを超えるような高電圧でなく、低電圧で高品質の化学酸化膜(特に、二酸化シリコン膜)を実現することができる、酸化膜の形成方法、その酸化膜を用いる半導体装置の製造方法およびその半導体装置の製造装置の提供。
効果 化学酸化膜の膜質を向上でき、リーク電流密度の低い高品質の化学酸化膜を形成できる。
技術概要
この技術では、被処理用のシリコン基板を、処理槽内の酸化性溶液に浸漬した状態で、シリコン基板に電源を接続する。処理槽内に設置した、シリコン基板と対向電極との間で電圧を印加した状態で、シリコン基板に硝酸等の酸化性溶液を作用させて、シリコンの表面に二酸化シリコン膜を形成する。これにより、二酸化シリコン膜の成長は、シリコン基板と二酸化シリコン膜との界面(シリコン基板1の表面)で起こる。その結果、低電圧・低温でありながら、二酸化シリコン膜の厚さを任意に制御することができ、シリコン基板表面に高品質の二酸化シリコン膜が容易に形成できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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