レーザ加工用シリカガラス

開放特許情報番号
L2006004642
開放特許情報登録日
2006/8/18
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2006-146874
出願日 2006/5/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-191380
公開日 2007/8/2
登録番号 特許第4753080号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 レーザ加工用シリカガラス
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 低誘電率半導体絶縁膜の微細加工、リソグラフィー用フッ素添加シリカガラスへのアライメント等のためのマーキング
目的 紫外域のレーザによりガラスの揮発を起こすレーザ加工用のシリカガラス又は珪酸塩ガラス及びその製造方法の提供。
効果 フッ素添加シリカガラス膜は、次世代半導体に不可欠な低誘電率膜として注目されている。レーザを照射するだけで微細加工ができれば、レジスト塗布、感光、レジスト除去行程が全て不要となるので、工程が大幅に簡略化できる。
技術概要
この技術では、35度にて12mol/lのふっ酸水溶液にシリカゲルを飽和するまで溶解させる。できた飽和溶液50mlに対してホウ酸水溶液(32g/l)を加え、攪拌し、その後、シリコンウエハーを浸漬させ、35度恒温に保持することで、シリコンウエハー表面上に薄膜(LPD膜)を得た。又、参照用として、シリコンウエハーを酸素・水素雰囲気中で熱酸化させ、シリコンウエハー表面上に薄膜(wet酸化膜)を得た。レーザとして、ArFエキシマレーザ(発振波長193nm)を用意した。レーザの出力は200mJであった。このレーザを合成シリカガラスのレンズを用いて集光し、単位面積あたりのレーザ出力を、248mJ/cm↑2から3.3J/cm↑2の間で一発照射を行った。LPD膜では、415mJ/cm↑2でもはっきりと照射部分がわかるのに対して、wet酸化膜では何の変化も認められない。即ち、LPD膜では、1.2J/cm↑2で非晶質シリカ膜はほぼ完全に除去されていると考えられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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