炭素膜の製造方法

開放特許情報番号
L2006004640
開放特許情報登録日
2006/8/18
最新更新日
2015/9/18

基本情報

出願番号 特願2006-145810
出願日 2006/5/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-314838
公開日 2007/12/6
登録番号 特許第5126867号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭素膜の製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭素膜
目的 簡便かつ廉価なプロセスで設けられた中間層により、基材との密着性に優れると共に耐剥離性、耐摩耗性および低摩擦性に優れた炭素膜を工業的に有利に製造できる方法を提供する。
効果 簡便かつ廉価なプロセスにより、基材との密着性に優れる中間層を介して耐剥離性、耐摩耗性および低摩擦性に優れた炭素膜を工業的に有利に製造できる。また、得られた炭素膜は、空気や水環境下における炭素膜の耐剥離性が向上されたものであり、機械の摺動機構が存在する箇所、特に、水環境下で摺動部の潤滑や保護材料として広く応用することができる。さらに、炭素膜は基材との密着性や耐剥離性に優れており、またより多くの基材が使用可能であり、更には省資源、省エネルギーに寄与し、また環境への悪影響を抑制するものであり、環境保全にも役立つ。
技術概要
炭素膜の製造方法は、金属基材側ほど金属成分濃度が高く炭素膜側ほど非金属成分濃度が高くなるような濃度勾配を有する中間層を介して金属基材上に設け、中間層を物理的気相成長法と化学的気相成長法との組み合わせにより作成する。炭素膜の製造方法を実施するための代表的な装置を図1に示す。図1において、1は基材、2は回転機構が付いている基材ホルダーである。これにより、基材の向きを変更することができる。すなわち、中間層を作成する時は基材をターゲットに、DLC膜を作成するときは基材をイオンガンに向くように向きを変更する。3はターゲット、4はマグネトロンスパッタ電源であり、発生する高周波により導入したアルゴン等のガスをプラズマ化し、さらにターゲット金属をプラズマ化にする電源である。5はアルゴンや原料ガスの導入口、6はイオンガンであり、熱電子を発生するフィラメントユニット7と熱電子を引き出すとともに電子にエネルギーを与えるアノードユニット8で構成されている。9は基材にパルスまたはDCバイアスを印加する電源であり、プラズマを基材へ引き込む。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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