| 出願番号 |
特願2008-514450 |
| 出願日 |
2007/4/27 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2007/129610 |
| 公開日 |
2007/11/15 |
| 登録番号 |
特許第5344464号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工、輸送 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他 |
| 適用製品 |
半導体素子、パワー半導体 |
| 目的 |
この発明は、ダイヤモンド材料を用いて半導体素子を形成することにより、素子の逆方向リーク電流を減少させたパワーデバイスを提供する。 |
| 効果 |
この発明によれば、パワーデバイスの逆方向電流を低減化することが可能で、さらに不揃いであったダイオード特性を安定化することが可能である。また、各種パワー半導体回路に用いることで、高い逆方向電圧に耐えることが可能である。具体的用途としては、電子線照射、イオン注入レーザ、Ｘ線その他粒子ビーム、プラズマなどの高電圧パルス発生装置、電車、自動車などの高電圧電源機器、受発電及び送電用機器はじめ各種産業機器、家電機器などの分野への利用が実現できる。 |
技術概要
 |
ダイヤモンドは、バンドギャップが大きく、絶縁破壊電圧も高く、パワーデバイス用の半導体材料として非常に有望視されているが、その表面処理の方法については十分な研究がなされておらず、この点でダイヤモンドの半導体材料としての応用の範囲を狭めている。この発明は、酸素またはオゾン雰囲気中でダイヤモンドの表面を処理する方法に関するものである。具体的には、ダイヤモンド表面を濃度２０〜１００％の酸素及び１０〜５００，０００ｐｐｍのオゾン雰囲気環境下で、波長１７２ｎｍもしくは１８４．９ｎｍ、および２５３．７ｎｍのＵＶ光を１０〜５０００Ｊ／ｃｍ↑２の積算照射量で表面処理し、ダイヤモンド表面に酸素を吸着させる。ダイヤモンド材料は、半導体材料として使用されるため、ｎ型及びｐ型とするための不純物としてリン、ホウ素を添加したものが使用される。またダイヤモンド結晶は(００１)、（１１１）、（１１０）の結晶面に対して処理される。この発明の方法によって表面処理されたダイヤモンドは、清浄面の要求される、ショットキーダイオード等の作成によって評価することが出来る。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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