レジストパタン形成方法

開放特許情報番号
L2006004544
開放特許情報登録日
2006/8/11
最新更新日
2010/12/3

基本情報

出願番号 特願2001-175821
出願日 2001/6/11
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 特開2002-075857
公開日 2002/3/15
登録番号 特許第4613364号
特許権者 学校法人東京電機大学
発明の名称 レジストパタン形成方法
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 レジスト
目的 従来の3分の2乃至は2分の1のピッチおよび線幅を有する微細パタンを形成する。
効果 半導体集積回路や光エレクトロニクス素子の製作等に適用すれば、大幅な集積度の向上が図れ、ひいては、性能を大幅に向上させることができる。
技術概要
露光フィールド内のパタンを2群のパタン群に分割し、下層レジスト膜および上層レジスト膜からなる2層レジストを用い、上層レジスト膜だけが感光する波長帯の露光光線により上層レジスト膜を分割した第1のパタン群に対応した形状に露光し、現像を行って、上層レジストパタンを形成した後、上層レジストパタンをほとんど透過できず、下層レジスト膜が感光する短波長露光光線により、上層レジストパタン間に露出した下層レジスト膜を分割した第2のパタン群に対応するパタン形状に露光し、現像を行う。図(a)に示すように、半導体ウェハ等の基板1に下層レジスト膜2を付し、その上に上層レジスト膜3を重ねて形成する。上層レジスト膜3を分割した片方のパタン群の形状に露光したならば、引き続いて現像を行って、図(b)に示すように、上層レジストパタン4を形成する。上層レジストパタン4は、レジストパタンの中心線間の間隔pをレジストパタンの最小線幅wの3.5倍以上とする。形成するレジストパタンの中心線間の最小間隔が十分広ければ、パタン自体の線幅は中心線間の最小間隔の3.5分の1以下の細さでも転写可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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