不揮発性メモリ

開放特許情報番号
L2006004398
開放特許情報登録日
2006/7/21
最新更新日
2006/12/8

基本情報

出願番号 特願2004-331688
出願日 2004/11/16
出願人 国立大学法人金沢大学
公開番号 特開2006-146983
公開日 2006/6/8
登録番号 特許第3845734号
特許権者 国立大学法人金沢大学
発明の名称 不揮発性メモリ
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 不揮発性メモリ
目的 相変化メモリ等の、抵抗変化により不揮発性で記憶する素子を用いた不揮発性メモリを提供する。
効果 通常の動作はSRAMと同じように高速ででき、相変化メモリ等の抵抗変化メモリ素子への書き込み可能回数は有限ではあるが、この書き込み回数を事実上無限大にできる。また、CMOSとの整合性が高い不揮発性メモリを実現できる。このような不揮発性メモリを用いることで、待機電力を大幅に低減することが可能となる。
技術概要
抵抗変化により不揮発性記憶を行う抵抗変化メモリ素子を用いた不揮発性メモリであり、第1の能動素子と第2の能動素子との入出力を互に接続したSRAM回路部と、第1、第2の能動素子の夫々と、電源との間に直列に接続した第1、第2の抵抗変化メモリ素子と、第2の能動素子と第2の抵抗変化メモリ素子との接続点とストア線との間に接続されたスイッチング素子であって、スイッチング素子のスイッチングを制御する入力は、第1の能動素子の出力に接続されており、スイッチング素子により、不揮発性メモリの電源をオフする直前に、SRAM回路部の記憶内容を、スイッチング素子から第2の抵抗変化メモリ素子に電流を流して抵抗変化を起こして記憶させ、不揮発性メモリの電源をオンしたとき、第2の抵抗変化メモリ素子の記憶内容をSRAM回路部に移し、SRAM回路部に記憶データの書き込み、読み出しを行う不揮発性メモリである。図1は、CMOSで構成した相変化メモリの回路を示す図である。図2は、相変化メモリの動作を説明する図である。図3は、相変化を起こしたときの抵抗値の変化を示す図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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