CdTe系酸化物薄膜及びその形成方法

開放特許情報番号
L2006004324
開放特許情報登録日
2006/7/14
最新更新日
2007/3/23

基本情報

出願番号 特願2005-213754
出願日 2005/7/25
出願人 国立大学法人宇都宮大学
公開番号 特開2007-031178
公開日 2007/2/8
発明の名称 CdTe系酸化物薄膜及びその形成方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 透明導電膜、導電性薄膜、アモルファス状、ペロブスカイト型構造
目的 透明導電膜として又は導電性薄膜として利用することができる新規なアモルファス状又はペロブスカイト型構造のCdTe系酸化物薄膜及びその形成方法の提供。
効果 良好な透明性と高い電気導電性を示す新たな透明導電膜として利用できる。また、原子を置換したりドーピングしたりすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させることができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めることも可能となる。こうした本発明の酸化物薄膜は、透明導電膜、熱電変換素子又はn型導電性薄膜として用いることが可能となり、フラットパネルディスプレイ、太陽電池、光電子デバイス等の透明電極等、種々の分野での応用が可能である。
技術概要
この技術における酸化物薄膜は、アモルファス状又はペロブスカイト型構造のCd↓3TeO↓6薄膜である。このCd↓3TeO↓6薄膜によれば、アモルファス状又はペロブスカイト型構造のいずれであっても、良好な透明性と高い電気導電性を示すので、新たな透明導電膜として利用できる。この技術の酸化物薄膜においては、Cd↓3TeO↓6薄膜の金属原子の一部が遷移金属原子又は磁性原子で置換されたものであってもよいし、Cd↓3TeO↓6薄膜にLa、Y、In及びBiの群から選ばれる1種又は2種以上の原子をドーピングされたものであってもよい。これによれば、Cd↓3TeO↓6薄膜の金属原子を他の原子で置換したり、他の原子をドーピングしたりすることにより、透明性と電気導電性をさらに向上させることができると共に、キャリア密度やホール移動度を高めることも可能であるので、新たな機能を有する酸化物薄膜として利用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 宇都宮大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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