半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法

開放特許情報番号
L2006004142
開放特許情報登録日
2006/7/7
最新更新日
2006/7/7

基本情報

出願番号 特願2005-278641
出願日 2005/9/26
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2007-088389
公開日 2007/4/5
発明の名称 半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 内部量子効率の測定
目的 内部量子効率の測定精度を向上させることを課題とする。
効果 内部量子効率を簡便に測定可能であり、注入電流(PL法の場合には励起パワー密度)や測定系によらず一般的に別の半導体発光素子との比較が可能であり、かつ、発光層のみを選択的に評価して他の影響を排除した測定が可能である。
技術概要
第1半導体層と第2半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する方法であって、光源制御部は、前記第1半導体層の禁制帯幅と前記第2半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を放出する励起光源を設定する。励起光源は、光源制御部により設定された各励起パワー密度で励起光を半導体発光素子に照射する。検出部は、励起光源から照射された光により半導体発光素子から放出される光を検出する。制御部は、検出部で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて半導体発光素子の内部量子効率を演算する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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