超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法

開放特許情報番号
L2006004083
開放特許情報登録日
2006/7/7
最新更新日
2018/2/20

基本情報

出願番号 特願2004-101498
出願日 2004/3/30
出願人 独立行政法人科学技術振興機構、独立行政法人情報通信研究機構、大阪府
公開番号 特開2005-286245
公開日 2005/10/13
登録番号 特許第4811552号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構、国立研究開発法人情報通信研究機構、地方独立行政法人大阪産業技術研究所
発明の名称 超伝導素子を用いた中性子検出装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 超伝導素子、それを用いた中性子検出装置
目的 良好な超伝導特性の経時劣化を防止することができる超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法を提供する。
効果 この超伝導素子によれば、保護膜を設けたことによって、ストリップラインの自然酸化を防止することができ、長期間に亘って良好な超伝導特性を維持することができる。特に、容易に自然酸化するMgB↓2を用いた場合にも、長期間に亘って良好な超伝導特性を維持することができる。また、この超伝導素子は、構造が比較的簡単であり、↑1↑0Bを使用することによって、比較的高い超伝導転移温度で使用可能な超伝導素子であり、検出精度が高い中性子検出装置を実現することができる。
技術概要
誘電体材料で形成された基板と、基板上に形成された超伝導材料のストリップラインと、ストリップラインの表面に形成された保護膜とを備え、超伝導材料が、自然酸化によって超伝導特性が劣化する材料である超伝導素子である。また、ストリップラインの両端部分に電極が形成された超伝導素子と、ストリップラインを超伝導転移温度付近の温度に冷却した状態で、電極間に定電圧を印加し、ストリップラインの電流値を測定する手段、又は、ストリップラインを超伝導転移温度付近の温度に冷却した状態で、電極間に定電流を流し、ストリップラインの電圧値を測定する手段とを備え、ストリップライン中の↑1↑0Bと中性子との核反応によるストリップラインの抵抗値の変化を測定する、中性子検出装置である。図1は超伝導素子の概略構成を示す斜視図(a)及び断面図(b)、図2は超伝導素子の製造方法を説明する断面図、図3は超伝導素子を用いた中性子検出の原理を説明する図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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