可視光透過半導体素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2006004031
開放特許情報登録日
2006/6/23
最新更新日
2007/11/30

基本情報

出願番号 特願2006-081331
出願日 2006/3/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-258468
公開日 2007/10/4
発明の名称 可視光透過半導体素子およびその製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、各種電子部品の材料、透明なダイオードや透明な電子回路、及び可視光透過紫外光変換型太陽電池の作成等の分野で広く利用される。
目的 透明基板に半導体膜を形成した可視光透過半導体素子及びその製造方法を提供する。
効果 n型半導体膜、p型半導体膜、真性半導体膜、絶縁体膜、透明電極等からなる積層構造を光照射を利用して加熱することなしに作製できるので、耐熱性の低い透明基板にも応用でき、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
透明基板と、透明基板への半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置からの光を照射しながら形成される半導体膜とからなるか、または透明基板と、透明基板へのn型半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置からの光を照射しながら形成される半導体膜と、半導体膜へのp型半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置からの光を照射しながら形成される半導体膜とからなる可視光透過半導体素子である。尚、光放出装置から照射される光の波長は、半導体膜の吸収端より短い波長であり、また、半導体膜は、ZnO、SnO↓2、In↓2O↓3から選ばれる材料を主成分とし、更に、光放出装置から光が照射される際に、透明基板の温度が制御されることにより、可視光透過半導体素子を製造する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT