有機半導体材料及びそれを用いた有機デバイス

開放特許情報番号
L2006004017
開放特許情報登録日
2006/6/23
最新更新日
2015/9/17

基本情報

出願番号 特願2006-076111
出願日 2006/3/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-251086
公開日 2007/9/27
登録番号 特許第4873456号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機半導体材料及びそれを用いた有機デバイス
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 有機半導体材料及びそれを用いた有機デバイス
目的 優れた有機半導体特性を示し有機溶媒に可溶なフラーレン誘導体、およびこの材料を用いた有機電界効果型トランジスタ(FET)を提供する。
効果 溶液プロセスを用いて高電子移動度を示し大気中でも動作可能な有機FETが提供できる。したがって、n型有機FETの低コスト化および大面積化が可能である。
技術概要
式(図1)(式中、R↓1〜R↓3は、水素、或いは炭素数1から20のパーフルオロアルキル基、一部がフッ素化したセミフルオロアルキル基又はアルキル基のいずれかを示し、これらのアルキル基は直鎖でも分岐鎖であってもよく、かつ、R↓1〜R↓3のうちの少なくとも1つは、炭素数1から20のパーフルオロアルキル基又は一部がフッ素化したセミフルオロアルキル基である。)で表されるフッ素化アルキル基を有するフラーレン誘導体である。図2に、一般的な電界効果型トランジスタ素子構造の断面図を示す。図2(a)の構造は、ゲート絶縁膜3上に有機半導体層4があり、その上にソース電極5およびドレイン電極6を有する。図2(b)の構造は、ゲート絶縁膜3上にソース電極5およびドレイン電極6があり、その上に有機半導体層4を有する。図2(c)の構造は、基板1上にn型有機半導体層4があり、その上にソース電極5およびドレイン電極6、ゲート絶縁膜3、ゲート電極2を有する。図1(d)の構造は、基板1上にソース電極5およびドレイン電極6があり、その上に有機半導体層4、ゲート絶縁膜3、ゲート電極2を有する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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