| 出願番号 |
特願2006-060451 |
| 出願日 |
2006/3/7 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2007-242744 |
| 公開日 |
2007/9/20 |
| 登録番号 |
特許第5229845号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの製造方法および炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴ |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
炭化ケイ素半導体装置 |
| 目的 |
低オン抵抗の炭化ケイ素半導体装置を実現するために、酸化工程で絶縁膜をウェット酸化で形成し、絶縁膜と炭化ケイ素の界面準位密度を低減した状態で、オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素半導体（０００−１）面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 |
| 効果 |
（０００−１）面上での炭化ケイ素半導体装置の製造過程において、ウェット酸化により絶縁膜を形成し、絶縁膜と炭化ケイ素の界面準位を水素で終端した後に、オーミックコンタクトアニールを水素を含むガス中で行うことにより、絶縁膜と炭化ケイ素との界面準位を終端している水素がアニール中に脱離するのを抑制できるため、高いチャネル移動度が得られ、且つオーミックコンタクトが低減できるため、低オン抵抗の炭化ケイ素半導体装置の製造が可能となる。 |
技術概要
 |
図１はＭＯＳキャパシタの構成を示す図である。図２は図１に示すＭＯＳキャパシタとこのＭＯＳキャパシタと対比するために作製されたＭＯＳキャパシタとの測定結果から得られた界面準位密度分布を示す図である。図３は炭化ケイ素（０００−１）面上へのＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための断面図である。炭化ケイ素半導体の（０００−１）面８上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し炭化ケイ素半導体の（０００−１）面８上に接するように絶縁膜１８を形成する工程と、絶縁膜１８の一部を除去し開口部を形成する工程と、開口部の少なくとも一部にコンタクトメタル２０を堆積する工程と、熱処理によりコンタクトメタル２０と炭化ケイ素の反応層２１を形成する工程とを有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、熱処理を不活性ガスと水素の混合ガス中にて実施する、炭化ケイ素半導体装置の製造方法である。また、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し、炭化ケイ素半導体の（０００−１）面上に接するように絶縁膜を形成する工程が、ゲート絶縁膜を形成する工程の少なくとも一部である、炭化ケイ素半導体装置の製造方法である。 |
| イメージ図 |
|
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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