含ケイ素低誘電材料及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006003975
開放特許情報登録日
2006/6/23
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2006-059036
出願日 2006/3/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-238658
公開日 2007/9/20
登録番号 特許第4621894号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 含ケイ素低誘電材料及びその製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 含ケイ素低誘電材料
目的 ギガヘルツ高周波帯での優れた誘電損失特性、耐熱性、成形性、透明性等にすぐれた低誘電材料を提供する。
効果 低誘電材料は、ギガヘルツ高周波帯でのすぐれた低誘電特性だけでなく、耐熱性、成形性、透明性、密着性等にもすぐれる。また、この低誘電材料に関わるポリカルボシランは、副生物を伴うことなく効率的かつ安全に製造できる。
技術概要
 
誘電体材料は、具体的には、エチレン性二重結合(−C=C−)及びヒドロシリル基(−SiH↓2−及び/又は−SiH−)を有するポリマーを加熱して得られる重合物からなり、より具体的には、(−SiHR↑1−R↑3−R↑2−R↑4−)↓n(式中、R↑1はアルキル基及びアリール基から選ばれる1価の基であり、R↑2はアルキレン基、アリーレン基、及び2価の複素環基の中から選ばれる2価の基を示す。R↑3及びR↑4は、エチレン性二重結合の−CH=CH−又は>C=CH↓2から選ばれる互いに同一又は相異なる2価の基であり、nは2〜50000の整数である。末端の基については、SiHR↑1に結合しているものは水素原子であり、R↑2に結合しているものはエチニル基(−C≡CH)である。)、等で表されるポリカルボシランを加熱して得られる重合硬化物からなる低誘電材料である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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