出願番号 |
特願2005-036870 |
出願日 |
2005/2/14 |
出願人 |
国立大学法人電気通信大学 |
公開番号 |
特開2005-226162 |
公開日 |
2005/8/25 |
登録番号 |
特許第5002803号 |
特許権者 |
国立大学法人電気通信大学 |
発明の名称 |
ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
ダイヤモンドライクカーボン膜の製造システム |
目的 |
可変バンドギャップにより次世代半導体として期待されているダイヤモンドライクカーボン膜を常圧で成膜させることを可能にして、これにより簡便な設備によっても成膜でき、さらには生産性の向上をも図ることのできるダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。 |
効果 |
このダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法によれば、ダイヤモンドライクカーボン膜を、常圧雰囲気中で成膜させることができる。したがって、簡便な設備によっても成膜でき、さらには生産性の向上をも図ることができる。 |
技術概要
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図1は、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成させる成膜装置をブロック図で示したものであり、加熱装置1aには加熱手段1bが設けられており、この加熱装置1a内には、成膜させる基体Sが基体Sの支持装置1cに取り付けられている。加熱手段1bは電源4からの電力を受けて加熱装置1a内を加熱するものであり、電熱線や誘導加熱装置や赤外線照射装置などがある。加熱装置1aには、ガス供給源2から炭化水素ガス含有ガスが所定の流量で連続的に供給される。このガス流量は、流量制御装置3により制御される。加熱装置1aには温度制御装置5が設けられている。この温度制御装置5は、温度計と、この温度計からの温度データに基づいて加熱装置内を一定温度に維持する制御装置とを有していて、この制御装置からの信号に従って電力を調整し、加熱装置1a内の温度を一定に保つ。図2は成膜装置の模式図である。 |
イメージ図 |
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実施実績 |
【試作】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【可】
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特許権実施許諾 |
【可】
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