リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006003135
開放特許情報登録日
2006/4/14
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2006-017095
出願日 2006/1/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2006-240983
公開日 2006/9/14
登録番号 特許第4784915号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法
技術分野 無機材料、有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、紫外発光デバイス、電子放出源、高周波トランジスタ、X線・粒子線センサー、電子デバイス等として広い分野で利用される。
目的 半導体デバイス全般を構成することのできる(100)面方位のn型ダイヤモンド半導体を効率よく製造できる方法の提供。
効果 (111)面ダイヤモンド半導体単結晶に比べ、大面積化・平坦化が容易であり、デバイス開発全般で利用され、その産業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜。尚、ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、マイクロ波CVD、フィラメントCVD、DCプラズマCVD等の気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させることにより、n型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を製造する。尚、ダイヤモンド基板が(100)面方位を、(100)面から任意の方向に0から10度傾斜させたオフ角0から10度のダイヤモンド基板を用い、また、プラズマ気相中の炭素原子に対するリン原子の重量比を制御することで、半導体特性を制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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