| 出願番号 |
特願2006-017095 |
| 出願日 |
2006/1/26 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2006-240983 |
| 公開日 |
2006/9/14 |
| 登録番号 |
特許第4784915号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、有機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、紫外発光デバイス、電子放出源、高周波トランジスタ、Ｘ線・粒子線センサー、電子デバイス等として広い分野で利用される。 |
| 目的 |
半導体デバイス全般を構成することのできる（１００）面方位のｎ型ダイヤモンド半導体を効率よく製造できる方法の提供。 |
| 効果 |
（１１１）面ダイヤモンド半導体単結晶に比べ、大面積化・平坦化が容易であり、デバイス開発全般で利用され、その産業的利用価値は極めて大きい。 |
技術概要
 |
リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜。尚、ダイヤモンド基板が、（１００）面方位ダイヤモンドであり、マイクロ波ＣＶＤ、フィラメントＣＶＤ、ＤＣプラズマＣＶＤ等の気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が０．１％以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が０．０５％以上である条件で（１００）面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させることにより、ｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を製造する。尚、ダイヤモンド基板が（１００）面方位を、（１００）面から任意の方向に０から１０度傾斜させたオフ角０から１０度のダイヤモンド基板を用い、また、プラズマ気相中の炭素原子に対するリン原子の重量比を制御することで、半導体特性を制御する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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