高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006003118
開放特許情報登録日
2006/4/14
最新更新日
2015/9/16

基本情報

出願番号 特願2006-008118
出願日 2006/1/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-194231
公開日 2007/8/2
登録番号 特許第4858948号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜及びその製造方法並びに該不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜を用いたダイオード又はトランジスタ
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 ダイヤモンド薄膜の電子デバイスへの応用
目的 高濃度の不純物層を堆積させる場合、下地基板との間に不純物濃度を徐々に増加させていく傾斜層を設けることで、表面形態が平坦かつ高品質、そして低抵抗な薄膜の提供。
効果 本技術の不純物濃度傾斜層を用いた高濃度不純物ダイヤモンド薄膜は、紫外線発光デバイス、ショットキーバリアダイオード、バイポーラトランジスタのエミッタ領域などのp↑+もしくはn↑+層などの電子デバイス開発の全般で利用され、デバイス化を図る上で産業界へのインパクトは極めて大きい。
技術概要
 
マイクロ波プラズマ化学気相合成法において、この技術では、メタンを0.2%含む水素に、ボロンをボロン(B)と炭素(C)の割合が50ppmになるように加え、合成圧力50Torrの反応室に導入し、基板温度900℃−1050℃で、単結晶ダイヤモンドの(111)面上にダイヤモンド膜の合成を開始する。そして、単結晶ダイヤモンドの(111)面上に[B]/[C]=50ppmのダイヤモンド膜を1μm堆積した後、ボロン濃度を100ppm、500ppm、1000ppmに増加させ、膜厚が各々500nmになるようにダイヤモンド膜を積層させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT