| 出願番号 |
特願2006-000982 |
| 出願日 |
2006/1/6 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2007-184382 |
| 公開日 |
2007/7/19 |
| 登録番号 |
特許第4873448号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
整流ダイオード |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電力の変換・制御を扱う半導体分野、パワーエレクトロニクス |
| 目的 |
分極による正及び負の両方の固定電荷を積極的に利用し、それにより形成される分極接合を利用した整流ダイオードの提供。 |
| 効果 |
本技術によれば逆方向耐圧を犠牲にせずに、分極により発生したキャリアの分だけオン抵抗を低減することができるため、これにより整流ダイオードの逆方向耐圧とオン抵抗のトレードオフを改善することができる。 |
技術概要
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この技術では、２種類以上の半導体を、少なくとも２個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように３層以上積層した積層構造を有し、ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷により、第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する整流ダイオードにおいて、積層構造の一方の側端に第一の導電型のキャリアに対してショットキー特性を有する第一の電極と、他方の側端に第一の導電型のキャリアに対してオーミック特性を有する第二の電極とを備える。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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