スイッチング可能な電磁遮蔽材

開放特許情報番号
L2006003082
開放特許情報登録日
2006/4/14
最新更新日
2007/9/7

基本情報

出願番号 特願2005-372010
出願日 2005/12/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-173692
公開日 2007/7/5
発明の名称 スイッチング可能な電磁遮蔽材
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 電波を利用した通信情報技術・機器、調光ミラー
目的 調光ミラー薄膜材料を応用して新たに構築した多層薄膜材料から成る、電磁波を透過する状態と遮蔽する状態のスイッチングができる新規な材料、該材料を用いたスイッチング部材、及びスイッチング可能な電磁遮蔽材の提供。
効果 本技術により、電磁波の遮蔽状態をスイッチングすることのできる新規多層薄膜材料及び電磁遮蔽材を提供することができる。又、特定のガスを用いてスイッチングすることのできる電磁遮蔽部材を構築し、提供することができる。又、調光ミラー薄膜材料を用いて電磁遮蔽のスイッチングが行える電磁遮蔽材を提供することができる。
技術概要
この技術は、水素を含む雰囲気と、酸素を含む雰囲気に晒すことにより、電磁波の遮蔽状態をスイッチングすることのできる多層薄膜材料であって、薄膜が、希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、マグネシウムと遷移金属の合金、及びマグネシウムの中から選ばれるいずれかの金属薄膜から成るスイッチング層を有し、薄膜の表面に触媒層が形成されている。又、任意の構成として、触媒層の上に保護層が形成されている。ここで、スイッチング層は、マグネシウム・ニッケル合金から成ること、マグネシウム・ニッケル合金の組成は、MgNix(0.01<x<0.3)であること、が好適である。また、触媒層は、薄膜の表面に1nm−50nmのパラジウムもしくは白金をコートしたものであること、保護層は、水素透過性であり、かつ水非透過性の材料から成ること、が好適である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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