| 出願番号 |
特願2005-341099 |
| 出願日 |
2005/11/25 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2007-145634 |
| 公開日 |
2007/6/14 |
| 登録番号 |
特許第4811712号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
カーボンナノチューブ・バルク構造体及びその製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
二層カーボンナノチューブおよび配向二層カーボンナノチューブ・バルク構造体ならびにそれらの製造装置 |
| 目的 |
従来にみられない高純度の二層カーボンナノチューブ（特に配向した二層カーボンナノチューブ・バルク構造体）を提供する。また、簡便な手段によって、金属等の触媒を混在させることなく、配向制御を可能とし、高い成長速度で効率的な、選択的に多層カーボンナノチューブ、特に二層カーボンナノチューブの成長を実現し、量産性にもすぐれた製造方法・装置を提供する。 |
| 効果 |
触媒金属の微粒子粒径の制御、そしてこれを可能とする触媒金属薄膜の膜厚の制御、さらには、水蒸気などの酸化剤の反応系への存在という極めて簡便な手段によって、高選択的に、しかも高効率で二層カーボンナノチューブ並びにそのバルク構造体が製造することができることに加え、金属触媒の寿命を延長させ、高い成長速度でそれらの効率的な成長を実現し、量産化を図ることができる上、基板上で成長させたカーボンナノチューブは基板または触媒から容易に剥離することができる。 |
技術概要
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二層カーボンナノチューブは、純度が９８ｍａｓｓ％以上、好ましくは９９ｍａｓｓ％以上、さらに好ましくは９９．９ｍａｓｓ％以上である。この配向二層カーボンナノチューブ・バルク構造体においても、その、純度は、９８ｍａｓｓ％以上、より好ましくは９９ｍａｓｓ％以上、特に好ましくは９９．９ｍａｓｓ％以上である。精製処理を行わない場合には、成長直後（ａｓ−ｇｒｏｗｎ）での純度が最終品の純度となる。必要に応じて、精製処理を行ってもよい。この配向二層カーボンナノチューブ・バルク構造体は所定の配向したものとすることができ、好ましくは基板上に垂直配向したものとすることができる。この二層カーボンナノチューブ並びにそのバルク構造体は、ＣＶＤ法により、反応系に金属触媒を存在させることによって製造する。好適に使用されるＣＶＤ装置の一例を模式的に図１〜図４に示す。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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