有機半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2006003011
開放特許情報登録日
2006/4/14
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2005-332214
出願日 2005/11/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-142056
公開日 2007/6/7
登録番号 特許第5360696号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機半導体装置
目的 真空蒸着法による薄膜形成が困難な導電性電荷移動錯体材料を用いた有機半導体装置用の有機金属薄膜の形成と、そのパターニングによる電極作製のための手段、及びそれに適した材料を提供する。
効果 真空蒸着法による薄膜形成が困難な導電性電荷移動錯体材料を用いた有機半導体装置用の有機金属薄膜の形成と、そのパターニングによる電極作製が可能になる。これにより、電極として利用可能な電荷移動錯体の種類が増大し、有機半導体の種類に応じたキャリヤ注入効率の最適化や、トランジスタのP型/N型動作制御など、有機金属電極の利点の十分な活用が可能になる。
技術概要
有機半導体層を形成する工程と、電子供与性分子と電子受容性分子との組み合わせにより得られ、1×10↑−↑2ミリ モル/リットル以上の有機溶媒への溶解度を持つ高導電性電荷移動錯体材料からなるインクをインクジェットプリンティング法によって有機半導体層上の一部に電極として形成する工程とを含む有機半導体装置の製造方法を提供する。また、高導電性電荷移動錯体は、アルキル基、又はそれと同等の置換基によって置換し、有機溶媒への溶解度を向上させた有機分子を構成要素とする有機半導体装置の製造方法を提供する。また、高導電性電荷移動錯体は、ビスエチレンジオキシテトラチアフルバレンを電子供与体とし、これと電子受容性有機分子、又は無機陰イオンを組み合わせて得られる有機半導体装置の製造方法を提供する。また、高導電性電荷移動錯体は、テトラシアノキノジメタン、又はそのアルキル置換体を電子受容体とし、これと電子供与性有機分子、又は無機陽イオンを組み合わせて得られる有機半導体装置の製造方法を提供する。図1は有機半導体薄膜トランジスタの断面模式図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 低分子系材料を用いた有機薄膜トランジスタでは、インクジェットプリンティング法を用いることによって、その利点であるドロップ・オン・デマンド、すなわち、必要な箇所だけに薄膜を形成することで、資源の節約と大幅なコストの低減に資することが可能になる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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