| 出願番号 |
特願2005-328189 |
| 出願日 |
2005/11/11 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2007-134607 |
| 公開日 |
2007/5/31 |
| 登録番号 |
特許第5344445号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
半導体素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体素子 |
| 目的 |
分極による正及び負の両方の固定電荷を積極的に利用し、それにより形成される分極接合を利用した半導体素子を提供する。 |
| 効果 |
耐圧を犠牲にせずに、分極により発生したキャリアの分だけオン抵抗を低減することができるため、この分極接合を、整流ダイオードや電界効果型トランジスタなどに応用すれば、オン抵抗と耐圧のトレードオフを改善することができる。また、分極による正又は負の固定電荷により発生する、少なくとも第一の導電型のキャリア又は第二の導電型のキャリアの高い移動度を用いることにより半導体素子のオン抵抗がさらに低減され、高周波特性も向上させることができる。 |
技術概要
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２種類以上の半導体を、少なくとも２個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように３層以上積層した半導体素子において、ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷による第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する半導体素子である。また、分極接合は、分極による正及び負の固定電荷に対して、分極以外の正及び負の固定電荷量低く抑えることにより、半導体中の正及び負の固定電荷量を等しくした半導体素子である。図１は、真性半導体であるＧａＮ、及びＡｌ↓ｙＧａ↓１↓−↓ｙＮをｃ軸方向に積層した場合のバンドラインナップの模式図である。このように、Ａｌ↓ｙＧａ↓１↓−↓ｙＮ（０００−１）／ＧａＮ（０００１）及びＡｌ↓ｙＧａ↓１↓−↓ｙＮ（０００１）／ＧａＮ（０００−１）界面に、正及び負の分極による固定電荷による、電子及び正孔を、それぞれ発生させることができる。このように分極を用いて、電子及び正孔を交互に発生させた半導体のｐｎ接合を、「分極接合」と定義する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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