可視光応答型二酸化チタン光触媒薄膜とその作製法

開放特許情報番号
L2006002013
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2015/8/5

基本情報

出願番号 特願2004-029331
出願日 2004/2/5
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2005-218957
公開日 2005/8/18
登録番号 特許第4568866号
特許権者 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
発明の名称 可視光応答型二酸化チタン光触媒薄膜とその作製法
技術分野 機械・加工、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 硫黄(S)、不純物、二酸化チタン光触媒薄膜、二硫化チタン、レーザー蒸着法、硫黄添加二酸化チタン薄膜、窒素酸化物、有害ガスの分解、除去、環境浄化
目的 厚さが数百nm程度の非常に薄い膜状で、可視光下で光触媒性を有する硫黄添加二酸化チタン膜の形成方法の提供。
効果 硫黄添加二酸化チタン薄膜の作製が可能となる。また硫黄が酸素の格子位置に置換することによってバンドギャップエネルギー(Eg)が減少し、元の3.2eVよりも低エネルギー側での光応答性が実現できる。
技術概要
この技術は、二酸化チタン粉末を圧縮成形及び焼成することによりターゲット材を形成し、レーザー蒸着法により硫黄添加した二酸化チタン薄膜の作製を可能とする。硫黄を不純物として添加した可視光応答型二酸化チタン光触媒薄膜に関するものであり、薄膜は、二硫化チタン粉末を成形し、その成形体を温度350〜450℃の空気中で焼成してターゲット材を得、このターゲット材に真空中でレーザーを照射して硫黄を少し含んだ二酸化チタンを蒸発させ、350〜450℃に温度制御された蒸着基板上に硫黄添加二酸化チタン薄膜を蒸着させることにより作製される。即ち、ターゲット材は二硫化チタン粉末の圧縮成形体であり、それが空気中で焼成されると、その焼成中に硫黄が蒸発し、その組成としては硫黄を少し含んだ二酸化チタンが形成される。そのレーザー蒸着では、ターゲット材の組成をほぼ保ったまま蒸着膜が形成されるので、蒸着した膜の組成は硫黄を少し含んだ二酸化チタンになる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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