軟X線透過型偏光光学素子の生成法

開放特許情報番号
L2006002004
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2004-003644
出願日 2004/1/9
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2005-195996
公開日 2005/7/21
登録番号 特許第4478783号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 軟X線透過型偏光光学素子の生成法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 軟X線波長領域用の結晶を用いた偏光子、移相子、偏光光学素子
目的 波長0.3〜2nmの領域において、反射率、透過率が高く、更に偏光度、送相量の高い偏光光学素子の提供。
効果 偏光光学素子は、熱的、機械的な安定性と、透過率、偏光度、移相量などの光学的性能とを両立させるものであり、このことにより0.3〜2nmの領域における偏光測定が可能となる。
技術概要
この技術は、熱的、機械的に安定でない偏光性結晶表面に軟X線がよく透過する単層膜又は多層膜を生成し、この膜を支持層として研磨加工、イオンビーム加工、レーザー割断加工等により偏光性結晶を数十ミクロン厚に加工した自立可能な偏光光学素子を生成するものである。自立可能なとは、ガラス板又は金属メッシュ等の支持基板上に形成されたものではないという意味で、特に波長領域では良い支持基板材料がないので自立可能なことが特に重要である。支持層の例としては、モリブデン膜若しくはシリコン膜からなる単層膜、又はモリブデン膜とシリコン膜からなる多層膜があり、これらの膜はイオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法等により形成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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