高精度3次元照射用ペンシル型のイオンビーム形成法

開放特許情報番号
L2006001927
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2002-358919
出願日 2002/12/11
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2004-192931
公開日 2004/7/8
登録番号 特許第4362569号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 高精度3次元照射用ペンシル型のイオンビーム形成法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 高精度3次元照射用イオンビーム、マイクロビームによる治療、イオンビーム植物育種、材料改質、新材料創製、ナノ・マイクロ機械加工、ナノテクノロジー
目的 ビームのエネルギーを変化させながら、かつビームのサイズを一定に保持あるいは制御することができる高精度3次元照射用ペンシルビームを形成する方法の提供。
効果 高エネルギーイオンによる1mm以下のビームサイズのペンシルビーム治療技術の実現を図ることができ、治療の対象として、これまでの悪性腫瘍に加え、頭蓋内良性腫瘍、下垂体腫瘍、傍脊髄腫瘍AVM、神経疾患、眼疾患(老人性網膜症)などの多様た良性疾患に拡大できる。また、手術をせずに治療できることから、手術に伴う危険性を軽減し、患者の負担を最小にする画期的治療技術として利用できる。
技術概要
この技術では、ペンシルビーム形成に必要な精密ビームオブジェクトコリメーター及びビーム発散制限コリメーターの間隙を通過したビームのエネルギーと、コリメーター材を透過したビームのエネルギー差を利用して、精密偏向電磁石によりエネルギー分析し、ビームを分離する。偏向電磁石でビームを偏向させることにより、コリメーター材と加速器からの入射高エネルギーイオンとの相互作用で同時に発生する放射線(2次荷電粒子、ガンマ線、中性子線等)の影響を排除する。また、偏向電磁石を用いてビームを偏向することにより、発生するビームの光学的な色収差を2台以上の偏向電磁石の組み合わせにより打ち消す。ペンシルビーム形成装置のオブジェクトコリメーター又は発散制限コリメーター前にエネルギー減衰器を設置し、これによりビームのエネルギーを変える。ビームエネルギー減衰は、ビームエネルギーを制御するために厚みを調整した板状あるいは“楔”状の炭素や金属等で行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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