高効率光触媒薄膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006001834
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2015/8/5

基本情報

出願番号 特願2000-339096
出願日 2000/11/7
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2002-143688
公開日 2002/5/21
登録番号 特許第4590579号
特許権者 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
発明の名称 高効率光触媒薄膜及びその製造方法
技術分野 機械・加工、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 可視光応答性、光触媒薄膜、機能性コーティング材料、光触媒効果、バンドギャップ
目的 自然光下、特に600〜250nmの波長域の光照射下において高効率な光触媒薄膜の提供、ならびに、光触媒薄膜の製造方法の提供。
効果 光触媒薄膜は可視光から紫外光までの広い範囲のエネルギーを有する光の照射下においても効率的に正孔を表面に導くことができ、結果的に光触媒性能が向上することが期待される。
技術概要
この技術では、基盤上に製膜した光触媒薄膜にNb、V及びCrのうちいずれからの金属イオンを注入する。その際、厚さ方向に金属イオンの濃度勾配を加速電圧及び注入量を制御することにより意図的にもうけて、バンドギャップもしくは電位勾配を厚さ方向に変化させた構造を有する薄膜を提供するものである。このような構造を持つ薄膜は、薄膜の深部に向かって徐々にバンドギャップが減少もしくは増大していることで可視光領域まで利用することができ、あるいは電子−正孔対生成後の両者の再結合確率が低下するような電位勾配が内部に形成されることにより、結果的に効率良く表面まで正孔を導くことが可能となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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