ゲート酸化膜の水素処理による炭化ケイ素半導体素子を用いた炭化ケイ素半導体の金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタの作製方法

開放特許情報番号
L2006001797
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2006/3/17

基本情報

出願番号 特願2000-001397
出願日 2000/1/7
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2001-196579
公開日 2001/7/19
発明の名称 ゲート酸化膜の水素処理による炭化ケイ素半導体素子を用いた炭化ケイ素半導体の金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタの作製方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 SiC集積回路作製
目的 p型の六方晶SiCエピタキシャル基板上に掲載されたゲート酸化膜を水素処理をすることで良質なSiCのMOS FETの提供。
効果 ゲート酸化膜に対し600℃以上での水素処理を行うことで、酸化膜中に残留する欠陥を減少させることができるため、SiCのMOSFETの品質の向上につながる。また、700℃以上の水素処理を行うことで、未処理試料にくらべ20%も特性が向上する。
技術概要
この技術では、SiC基板上にゲート酸化膜形成後に、その酸化膜を600℃以上の水素雰囲気中で熱処理することで、酸化膜中に残存する欠陥を低減させ、MOS FETのトランジスタ特性を向上させる。即ち、p型の六方晶SiCエピタキシャル基板上に、プレーナー型のエンハンスメント型nチャンネルMOS FETを作製する際、そのゲート酸化膜形成後に600℃から900℃の範囲で水素処理を行った場合には、水素処理を行わないMOSFETに比べ、トランジスタ特性のパラメータの一つであるチャンネル移動度は10%以上向上する。また、その向上の大きさは700℃で最大を示し、700℃の水素処理により最良な特性を示すトランジスタを得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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