結晶配向した微結晶から成る二酸化チタン膜の作製方法

開放特許情報番号
L2006001577
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2015/8/5

基本情報

出願番号 特願2003-156240
出願日 2003/6/2
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2004-359472
公開日 2004/12/24
登録番号 特許第4576619号
特許権者 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
発明の名称 結晶配向した微結晶から成る二酸化チタン膜の作製方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 簡便な操作で得られ、光触媒、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去等の環境浄化、電気化学光電池等として広い分野で利用される。
目的 レーザー蒸着法によりガラス等の非晶質状の基板上に結晶成長方位が揃った微結晶からなる二酸化チタン膜の作製方法の提供。
効果 二酸化チタンの結晶性の向上及び微結晶化による表面積の増大により、光触媒反応効率等の特性を向上させることができ、その利用価値は極めて大きい。
技術概要
酸素雰囲気中のレーザー蒸着法により、ガラス(SiO↓2)基板等の非晶質基板上に大きさが数〜数十ナノメータの(0001)面に結晶配向した酸化亜鉛(ZnO)の微結晶からなる膜を形成し、さらにこの膜上に結晶配向させた(001)面のアナターゼ型二酸化チタン及び(100)面のルチル型二酸化チタンの微結晶からなる膜を作製することにより、結晶配向した微結晶からなる二酸化チタン膜を得る。尚、ガラス基板等の非晶質基板上に大きさが数〜数十ナノメータの(0001)面に結晶配向した酸化亜鉛の微結晶からなる膜を形成させる基板温度は、400〜600℃に制御され、酸素ガス圧は20〜100mTorrに制御し、また、アナターゼ型二酸化チタン及びルチル型二酸化チタンの微結晶を形成させる基板温度は、400〜600℃に制御され、酸素ガス圧は1〜200mTorrに制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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