広いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006001543
開放特許情報登録日
2006/3/17
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2001-153926
出願日 2001/5/23
出願人 独立行政法人日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2002-348389
公開日 2002/12/4
登録番号 特許第5105340号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 広いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法
技術分野 有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 プロトン交換型フッ素系高分子イオン交換膜
目的 長鎖分岐型ポリテトラフルオロエチレン構造を主体とした膜に、スルホン酸基を有するオキシハイドロフルオロカーボン側鎖を結合させて、広いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜を製造する。
効果 低コストで、広いイオン交換容量、高い耐酸化性と膜強度で、燃料電池膜に適する高分子イオン交換膜として利用できる。
技術概要
 
(A)長鎖分岐型ポリテトラフルオロエチレン構造を主体とし、これに(B)スルホン酸基を有するオキシハイドロフルオロカーボン側鎖の[OCH↓2CF↓2CF↓2SO↓3H]を結合させて、イオン交換容量を0.5〜2.0meq/g、含水状態の引張り破断強度を5〜25MPa、電気伝導度を0.05〜0.25Ω↑−↑1・cm↑−↑1とさせて、フッ素系高分子イオン交換膜を製造する。成分Aは、ポリテトラフルオロエチレン膜を300〜365℃、10↑−↑3〜10Torrの減圧下又は不活性ガス雰囲気下で、電子線やγ線の5〜500kGyを照射したもので、成分Bはこれに再度電子線やγ線を室温、不活性ガス中で5〜500kGy照射した後に、不活性ガス下、溶媒に希釈したハイドロフルオロビニルエーテルモノマーを−78〜100℃の溶液中でグラフト反応させる。次いで、グラフト鎖のSR、SX、SO↓Rなどを、SO↓3Hに変換させて、目的のイオン交換膜を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT