電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するsp3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途

開放特許情報番号
L2006000707
開放特許情報登録日
2006/2/10
最新更新日
2015/10/5

基本情報

出願番号 特願2003-209489
出願日 2003/8/29
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2005-076035
公開日 2005/3/24
登録番号 特許第3783057号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するsp3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するsp3結合性窒化ホウ素薄膜
目的 高い耐電界強度を有し、長時間使用して電子を大きな電流密度で安定して放出することができ、しかも材料の劣化、損傷のない安定した高い電界電子放出を可能とする新規な材料を提供する。
効果 電流密度、及び、放出寿命において際だった優秀な特性(従来の1000倍以上の電流密度とBNに特有の極めて優れた構造的強度・耐久性)を有するため、ランプ型光源デバイス、フィールドエミッション型ディスプレイ等に画期的な技術的ブレークスルーをもたらすことが予測される。
技術概要
電界電子放出特性に優れた表面形状が気相からの反応によって自己造形的に形成されてなる、電界電子放出特性に優れたsp3結合性窒化ホウ素膜体である。電界電子放出特性に優れたsp3結合性窒化ホウ素膜体を得る気相反応を実施するのに使用される反応容器は、図1に示す構造のCVD反応容器である。反応容器に導入された反応ガスは、基板表面において照射される紫外光によって励起され、反応ガス中の窒素源とホウ素源とが気相反応し、基板上に、一般式;BNで示され、5H型または6H型多形構造を有してなるsp3結合型窒化ホウ素が生成し、析出し、膜状に成長する。その場合の反応容器内の圧力は、0.001〜760Torrの広い範囲において実施可能であり、また、反応空間に設置された基板の温度は、室温〜1300℃の広い範囲で実施可能であるが、目的とする反応生成物を高純度で得るためには、圧力は低く、高温度で実施した方が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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