酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法

開放特許情報番号
L2006000694
開放特許情報登録日
2006/2/10
最新更新日
2015/10/5

基本情報

出願番号 特願2002-354427
出願日 2002/12/5
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2004-182571
公開日 2004/7/2
登録番号 特許第3882077号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブ
目的 高純度で、小径かつ無欠陥の窒化ホウ素ナノチューブを大量に製造することのできる酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法を提供する。
効果 高純度で、小径かつ無欠陥の窒化ホウ素ナノチューブを大量に製造することができる。
技術概要
 
酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法では、ホウ素と酸化ガリウムの混合物を1000℃〜2100℃に加熱し反応させ、反応生成物を引き続いてアンモニアと反応させ、窒化ホウ素ナノチューブを製造する。したがって、原料に炭素を含む化合物を使用しないため、炭素が不純物として混入することがなく、高純度の窒化ホウ素ナノチューブを製造することができる。しかも、反応により生成する金属ガリウムは、高温で触媒活性を失わないため、小径で欠陥のない窒化ホウ素ナノチューブを製造することができる。酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法では、窒化ホウ素ナノチューブは基板上に堆積させることが好ましく、この場合、基板の温度をホウ素と酸化ガリウムの反応温度より低くすることが好ましい。これは、基板への窒化ホウ素ナノチューブの付着性、堆積性を考慮してのことである。また、基板には、好ましくはシリコンウエハーが使用される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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