極薄シリコン酸化膜の生成方法

開放特許情報番号
L2006000660
開放特許情報登録日
2006/2/10
最新更新日
2015/10/5

基本情報

出願番号 特願平09-282413
出願日 1997/10/15
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開平11-121448
公開日 1999/4/30
登録番号 特許第3345636号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 極薄シリコン酸化膜の生成方法
技術分野 無機材料、電気・電子、その他
機能 材料・素材の製造、表面処理、その他
適用製品 極薄シリコン酸化膜生成装置
目的 膜厚制御性を向上させ、且つ不純物の拡散を阻止して、極薄領域において均質性を保ち実用可能な酸化膜を生成できる、極薄シリコン酸化膜の生成方法を提供する。
効果 シリコン基板のプラズマ酸化プロセスにおいて、基板温度を室温としたシリコン基板上に、均質性の良好な極薄酸化膜の生成が可能となる。
技術概要
本発明の極薄シリコン酸化膜の生成方法は、シリコン基板に正もしくは負バイアス電圧を印加し、または印加することなしに、シリコン基板を室温に保持して、シリコン基板表面を、酸素プラズマのプラズマ密度が10↑7〜10↑8/cm↑3でプラズマ酸化することを特徴とする酸化膜の均質性が0.1nm以下の極薄シリコン酸化膜の生成方法である。図は装置システムの一例である。真空チャンバー1は、ポンプ2によって排気され、真空に保たれる。O↓2 ガスボンベ5に蓄えられたO↓2ガスは、その供給ライン4からプラズマ発生領域6に導入され、パワーコントローラによって制御されるプラズマ発生装置3の作動によってプラズマ化される。表面に酸化膜が生成されるシリコン基板7は、アースである真空チャンバー1に対して正・負の電位を印加可能なサセプター8に配設され、基板電圧印加用電源13によって負バイアス電圧が印加される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 シリコン基板のプラズマ酸化プロセスにおいて、基板温度を室温としたシリコン基板上に、均質性の良好な極薄酸化膜の生成が可能となる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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