単結晶絶縁酸化鉄膜及びその作製方法

開放特許情報番号
L2006000629
開放特許情報登録日
2006/2/10
最新更新日
2011/6/3

基本情報

出願番号 特願2005-158211
出願日 2005/5/30
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2006-327920
公開日 2006/12/7
登録番号 特許第4724829号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 トンネル磁気抵抗素子、高性能不揮発メモリー、MRAM、ハードディスク
目的 トンネル磁気抵抗素子等に適用される単結晶絶縁酸化鉄膜及びその作製方法であって、表面に平滑面(原子層単位での平滑な表面)を有し、N↓2等の他の原子が含まれず、劣化されていない、高品質で安価な単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法の実現。
効果 酸化源として酸素プラズマ源を利用する「プラズマ酸素供給法」と比べて、オゾン分子は、到達分子(原子)のエネルギーが低いために、基板表面に衝突して凹凸を形成するようなことがなく、より平滑な膜表面(原子層単位で平滑な表面)を得ることができると共に、得られた単結晶絶縁酸化鉄膜は、非常に高い絶縁性、高い強磁性常磁性転移温度を備えたものとすることができる。
技術概要
本技術の作製方法により基板の表面に、単結晶絶縁酸化鉄膜2を成膜する場合、単結晶絶縁酸化鉄膜の原材料は、高純度(鉄成分が99.95%)の金属鉄(純鉄)を用いる。真空槽内において、原材料である鉄はるつぼ内に入れて、電子銃の電子ビームを照射、加熱して蒸発させる。基板は、単結晶絶縁酸化鉄膜が成膜されるべき表面が鉄の蒸発面に対向するように、真空槽内に置かれる。次に、オゾン源であるオゾン発生装置に接続された配管及び可変リークバルブにより、オゾンガスを真空槽に取り付けられたノズルに供給し、オゾンガスを基板1に向けてオゾンビームとしてビーム状に導入する。これにより、基板の表面に対して、鉄の蒸気とオゾンが反応しながらγ−Fe↓2O↓3(マグヘマイト)相の単相単結晶薄膜が成長して、成膜される。基板は、真空槽内に設けたヒータにより加熱するが、その温度は、250℃以下とし、真空槽3内の酸素圧力は、オゾン導入時において3×10↑(−6)Torr以上とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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