| 出願番号 |
特願2005-076104 |
| 出願日 |
2005/3/16 |
| 出願人 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 |
特開2006-261353 |
| 公開日 |
2006/9/28 |
| 登録番号 |
特許第4446092号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 発明の名称 |
荷電制御強磁性半導体 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
荷電制御強磁性半導体 |
| 目的 |
実用的なデバイス実現のために、室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性−常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。 |
| 効果 |
導電性と強磁性が共存する半導体新材料が実現できるので、電子のスピン自由度を利用したスピンエレクトロニクスに応用できる。室温での強磁性状態を利用してスピンの揃った電子の供給源として、用いることができ、スピントランジスターなどのスピンデバイスに応用できる。 |
技術概要
 |
ＧａＡｓで形成された基板上に、２ー６族半導体であるＺｎＴｅにＣｒを添加した半導体であり、Ｃｒ組成５％の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがｐ型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にｎ型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Ｃｒ組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。図１は、荷電制御強磁性半導体の原理を説明するための図である。ｐ型ドーパントを添加するとフェルミ準位が低エネルギー方向（図の下方）に移動し、ｄ電子状態密度の大きさは減少する。逆にｎ型ドーパントを添加すると、フェルミ準位が高エネルギー方向（図の上方）に移動し、ｄ電子状態密度の大きさは増加する。図２は、荷電制御強磁性半導体の製造装置及びプロセスを説明する模式図である。図３は、強磁性転移温度の変化を、比較例と比較して説明する図である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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