半導体装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2006000389
開放特許情報登録日
2006/1/27
最新更新日
2009/2/27

基本情報

出願番号 特願2001-397796
出願日 2001/12/27
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2003-197900
公開日 2003/7/11
登録番号 特許第4041877号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 量子ドット層の積層数の増加に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図る。
効果 量子ドット層の積層数の増加に伴う歪みの蓄積や局所的な歪み場のぼやけを抑制できるので、量子ドット層の積層数に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図ることができる。
技術概要
InP基板1上に、基板1よりも格子定数の大きい第1層目の量子ドット層2aが形成し、その上に基板1と略同じ大きさの格子定数を有する緩衝層4が形成している。バッファ層4上に、基板1よりも格子定数の大きい第2層目以上の量子ドット層2bと基板1よりも格子定数の小さい中間層3とが交互に積層され、最上層は量子ドット層2bとなっている。量子ドットレーザの製造方法は、InP(3 1 1)B基板1の表面1aに原子状水素を放射して清浄化する。表面1aに原子状水素を供給しつつ、ガス状のInおよびAsを用いてMBE法を実行し、基板1のPを蒸発させて雰囲気中のAsと置換させ、基板1よりも格子定数が大きい第1層目のInAs↓xP↓1↓−↓x量子ドット層2aを基板1上にエピタキシャル成長させる。このドット層2a上にIn↓0↓.↓5↓2Ga↓0↓.↓1Al↓0↓.↓3↓8Asバッファ層4を成長させた後、ドット層2a、2bの合計が20層に達するまで、格子定数が基板1よりも大きいInAs量子ドット層2bと格子定数が基板1よりも小さいIn↓0↓.↓4↓7Ga↓0↓.↓1↓1Al↓0↓.↓4↓2As中間層3とを、交互に連続成長させて積層する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 中間層にAlの混晶を用いることにより、各量子ドット層を構成するIII族元素、例えばInの偏析をより抑制して量子ドットの形状劣化や配列の乱れをより抑制できるので、量子ドット層のさらなる高密度化を図ることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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