フラーレンを分子スケールで除去/移動する方法および分子スケールのパターン記録方法

開放特許情報番号
L2006000368
開放特許情報登録日
2006/1/20
最新更新日
2012/3/9

基本情報

出願番号 特願2006-553843
出願日 2005/12/27
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 WO2006/077726
公開日 2006/7/27
発明の名称 フラーレンを分子スケールで除去/移動する方法および分子スケールのパターン記録方法
技術分野 化学・薬品
機能 その他
適用製品 フラーレンを分子スケールで除去/移動するシステムおよび分子スケールのパターン記録システム
目的 フラーレンの最密充填構造において、フラーレン分子を分子スケールで除去および/または移動する方法を提供する。また、フラーレンの最密充填構造において、フラーレン分子を分子スケールで除去および移動することによりパターンを記録する方法を提供する。
効果 フラーレン1分子に絞って静電場を与えることにより、1分子を取り除き、さらに移動させることによって、フラーレンの最密充填構造に自在にパターンを構成することが可能となる。すなわち、最密充填構造に1分子レベルで分子を取り除いて、数個の穴を空けて、パターンを構成するとともに、それを移動させることによってパターンを再構成することが可能となる。
技術概要
図1は、シリコン基板の清浄表面に数層蒸着したC↓6↓0分子の最密充填構造6の走査トンネル顕微鏡(STM)イメージである。小さい丸いボール8がC↓6↓0分子であり、これが最密充填構造を構成して規則的に配列している。図2は、分子を除去する様子を示す図である。STMの探針10を、除去を目的とする分子12に近づける。この場合に、探針10と分子12との間の距離は、2Vのバイアス電圧を印加しておいて、トンネル電流を1.4〜1.6nA、好ましくは1.5nA観測する位置にセットする。続いて、フラーレン分子に対してバイアス電圧V↓sを印加する。バイアス電圧V↓sは、図3に示すように、−2Vから0Vまで3msずつ2mVのステップで上昇する階段状に変化する連続電圧である。このバイアス電圧の印加を終了して、STMで観察すると、目的としたフラーレン分子1個が除去されて、空隙ができているのを確認できる。大きな空隙を作るためには、既に形成された空隙に隣接する分子に、1個の分子を除去するのと同じ条件で静電場を加えることにより行うことができる。図4には、4個のフラーレン分子を除去することにより形成された空隙を15で示している。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 高密度の情報蓄積、ナノスケールでのパターンニング、ナノスケールでのアニメーション等のナノテクノロジーの究極の形態である分子を利用したデバイス、デバイスのための素材形成が可能となる。また、原子のマニピュレーションなどに比べて簡単にナノスケールのパターンの記録ができ、得られるパターンも原子によるものに比べて鮮明である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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