ダイヤモンドパワー半導体デバイス及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006000230
開放特許情報登録日
2006/1/27
最新更新日
2007/6/1

基本情報

出願番号 特願2005-283156
出願日 2005/9/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-095975
公開日 2007/4/12
発明の名称 ダイヤモンドパワー半導体デバイス及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子線照射、イオン注入、レーザ、高電圧パルス発生装置、電車、自動車、高電圧電源機器、受発電及び送電用機器
目的 ダイヤモンドをパワー半導体デバイスに応用することは、理論特性からは期待されているものの、実際には耐圧が低く、逆方向リーク電流も大きいことがわかっているため、これを改善するための方策の題供。
効果 ダイヤモンドパワー半導体素子は、各種ダイオードやトランジスタ、サイリスタなどデバイスの逆方向リーク電流を低く抑制することが可能であり、各種パワー半導体回路に用いることで高い逆方向電圧に耐えることが可能である。より具体的用途としては、電子線照射、イオン注入、レーザ、X線その他粒子ビーム、プラズマなどの高電圧パルス発生装置、電車、自動車などの高電圧電源機器、受発電及び送電用機器はじめ各種産業機器、家電機器などの分野への利用が実現できる。
技術概要
この技術は、逆方向リーク電流を発現する原因が非エピタキシャル異常成長粒及びピラミッド状成長丘など異常成長した結晶欠陥そのものにあることを突き止め、逆方向リーク電流を極力小さくすることの可能な構造のダイヤモンドを用いたダイヤモンドパワー半導体デバイスに基づく。ダイヤモンドパワー半導体デバイスは、結晶欠陥をも含むデバイスではなく、結晶欠陥を全く含まない領域にデバイス動作領域を有するダイヤモンドパワー半導体デバイスである。すなわち、電極とダイヤモンド薄膜を設けた基板からなり、デバイス領域が非エピタキシャル膜及び成長丘状ヒロックの異常成長領域のないダイヤモンド薄膜上に形成されるダイヤモンドパワー半導体デバイスである。また、ダイヤモンド薄膜を、p型もしくはn型として形成することができる不純物を添加したダイヤモンド薄膜とすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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