電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びそれを用いた電子源

開放特許情報番号
L2006000229
開放特許情報登録日
2006/1/27
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2005-282977
出願日 2005/9/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-095478
公開日 2007/4/12
登録番号 特許第4103961号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電子放出電圧を著しく低減した電子源及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 フラットパネルディスプレイ、放電管、ランプ、X線や紫外線の励起源、真空マイクロ/ナノデバイス、産業機器、家電機器
目的 リンの不純物源を検討し,ターシャルブチルリンを不純物源としたリン添加ダイヤモンドの製造方法及びそれを用いた電子源を提案し、低電圧駆動可能なダイヤモンド冷陰極作製に関して、異なる不純物源を用いることで合成したリン添加ダイヤモンド電子源とし、電子放出電圧を著しく低減することの実現。
効果 リン添加ダイヤモンド膜は、実際の冷陰極動作において、低電圧で高電流を得ることができ、従来の電子線を用いる電子機器の低消費電力化と小型化、エネルギー高効率化が実現できる。さらに、半導体固体デバイスでは実現困難な、耐環境性電子デバイスへの応用も可能である。
技術概要
この技術は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びそれを用いた電子源に関し、電極とダイヤモンド膜により構成された構造を持ち、ダイヤモンド膜の抵抗率が10↑7Ωcm以下であり、電極に電圧が印加されたとき、電子放出開始電圧が30V以下で電子や電子線を放出する電子源であって、ダイヤモンド膜中のリンの濃度が10↑(16)cm↑(−3)以上添加されており、より好ましくは10↑(18)cm↑(−3)以上添加されているリン添加ダイヤモンドの製造方法及びそれを用いた電子源とする。すなわち、リンを濃度10↑(16)cm↑(−3)以上(10↑(18)cm↑(−3)以上)含有し、抵抗率が10↑7Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であるダイヤモンド膜である。また、ダイヤモンド膜表面を、酸素、炭素又は水素で一部もしくは全てが終端されたダイヤモンドとすることができる。さらに、ダイヤモンド膜を(111)、(100)、(110)面の結晶構造の単結晶膜若しくは多結晶膜とすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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