ダイヤモンド素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006000225
開放特許情報登録日
2006/1/27
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2005-280661
出願日 2005/9/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-095834
公開日 2007/4/12
登録番号 特許第4734668号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ショットキー電極、半導体材料、電子デバイス、大電力用デバイス、ダイヤモンドデバイス材料
目的 通常の半導体材料に比べて、絶縁破壊電界が高く、熱伝導率が極めて良好で放熱性に優れ、化学的にも安定であり、またバンドギャップが大きいというダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用するために、高温大気下、放射線下等の過酷な環境下でも動作ショットキー電極を備えたダイヤモンド素子及びその製造方法の提供。
効果 ショットキー電極を、高温大気下、放射線下等の過酷な環境下でも動作できる材料とすることにより、ダイヤモンド半導体材料と同様の特性を保有させ、ダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用することができる。
技術概要
この技術は、半導体ダイヤモンド表面に形成するショットキー電極層の材料として窒化物導電体を使用するものであり、窒化物導電体のショットキー電極層を備えたダイヤモンド素子を提供するものである。窒化物としては、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化バナジウム等の窒化物を使用できる。これらの窒化物は、電極の耐熱性を格段に向上させることができる。この場合、半導体ダイヤモンド表面上に、予め純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子を形成し、この上にさらに窒化物導電体のキャップを形成して耐熱性を向上させても良い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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