ダイヤモンド素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2006000223
開放特許情報登録日
2006/1/27
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2005-280127
出願日 2005/9/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-095794
公開日 2007/4/12
登録番号 特許第4734667号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ショットキー電極、半導体材料、絶縁破壊電界、電子デバイス、大電力用デバイス
目的 通常の半導体材料に比べて、絶縁破壊電界が高く、熱伝導率が極めて良好で放熱性に優れ、化学的にも安定であり、またバンドギャップが大きいというダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用するために、高温大気下、放射線下等の過酷な環境下でも動作ショットキー電極を備えたダイヤモンド素子及びその製造方法の提供。
効果 ショットキー電極を、高温大気下、放射線下等の過酷な環境下でも動作できる材料とすることにより、ダイヤモンド半導体材料と同様の特性を保有させ、ダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用することができる。
技術概要
この技術は、半導体ダイヤモンド表面に形成するショットキー電極層の材料として酸化物導電体を使用するものであり、酸化物導電体のショットキー電極層を備えたダイヤモンド素子である。酸化物としては、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化物、スズ酸化物、ストロンチウム−ルテニウム酸化物、ランタン−ストロンチウム−マンガン酸化物(La,Sr)MnO↓3、ランタン−ニッケル−鉄酸化物La(Ni,Fe)O↓3等の単一酸化物又は複合酸化物を使用できる。これらの酸化物は、電極の耐熱性及び耐酸化性を格段に向上させることができる。この場合、半導体ダイヤモンド表面上に、予め純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子を形成し、この上にさらに上記酸化物導電体のキャップを形成して耐熱性及び耐酸化性を向上させても良い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT