| 出願番号 |
特願2007-537750 |
| 出願日 |
2006/9/26 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2007/037468 |
| 公開日 |
2007/4/5 |
| 登録番号 |
特許第4851463号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
フッ化カルボニルの製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造、環境・リサイクル対策 |
| 適用製品 |
フッ化カルボニルの製造、ＣＶＤ装置（化学的気相蒸着法）のクリーニングガス |
| 目的 |
半導体製造工程や液晶製造工程に用いられるＣＶＤ装置ではクリーニングガス等にＰＦＣやＮＦ↓３などが使用されており、オゾン層破壊の問題から、代替技術・材料の開発が必要とされ、各種検討されてきたが、製造における爆発を避けるための対応あるいは副生物の精製・未反応原料の回収のための労力、コスト、設備が問題である。そこで、毒性の強いホスゲン等の原料や手に入れにくい副原料を使うことなく、より安価で効率的で、しかも爆発等の恐れがなく、安全に、かつ連続的に収率よくフッ化カルボニルを製造する方法を提供する。 |
| 効果 |
このフッ化カルボニルの製造方法によると、ＴＦＥの精製や高価な希釈剤の使用が不要となり、しかも爆発等の危険性もなく、安全に効率的に、かつ安価に、連続的に目的とするフッ化カルボニルを製造することができる。また、従来は、ＨＣＦＣ−２２から高温熱分解法により製造されたＴＦＥ組成物は精製しない限り商品価値はないとされていたが、この方法に適用するときは特に精製の必要もないので、そのままフッ化カルボニルの製造原料として使用することができる。 |
技術概要
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このフッ化カルボニルの製造方法は、反応容器内にテトラフルオロエチレンガスと酸素ガスを導入し、窒素ガスの不存在下または窒素ガス含量が酸素ガス含量の３倍モル以下で、これを気相で加熱反応させる。テトラフルオロエチレンガスは、精製されたテトラフルオロエチレンガス、または未精製品又は希釈剤を含むような混合物にあっては他の成分の量に対してモル比で１／１０より大きいテトラフルオロエチレンガスを用い、テトラフルオロエチレンに対して０．９乃至５モル量の酸素ガスとともに導入する。反応容器内に金属フッ化物、金属酸化物あるいは金属から選ばれる触媒又は熱媒体としての充填剤を用いることができる。気相での加熱反応温度は３００℃乃至４５０℃で、反応管中のテトラフルオロエチレンガスの滞留時間は１〜３０秒が好ましい。テトラフルオロエチレンガスと酸素ガスの反応のための反応容器は、耐腐食性反応管であり、直径０．３ｍｍ乃至３０ｍｍに対して長さが０．１ｍ乃至３０ｍである酸化反応用反応管を用いることが好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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