極性半導体の面極性判定方法

開放特許情報番号
L2006000178
開放特許情報登録日
2006/1/20
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2005-260379
出願日 2005/9/8
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-071747
公開日 2007/3/22
登録番号 特許第4635158号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 極性半導体の面極性判定方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 極性を有する半導体の面極性を判定、高出力、高温、高周波デバイス用半導体材料、大型SiC単結晶、電子移動速度、非破壊
目的 SiC単結晶等の基板に励起光を照射することで得られるラマン散乱光のスペクトルから極性半導体であるSiC単結晶等の面極性の判定を行う方法を用い、煩雑な手順を必要とせず、追加工又は修正加工の必要性がなく、さらに判定に要する時間を大幅に短縮し、半導体を破壊することなく半導体の面極性を判定する効果的な方法の提供。
効果 極性半導体に励起光を照射して得られるラマン散乱光スペクトルを測定することにより、面極性の判定を行い、非破壊かつ非接触で面極性の判定を可能にする。また、励起光を単結晶基板の微小領域に集光してラマン散乱光を顕微的に測定することで、極微小領域の面極性の判定を可能とする。
技術概要
この技術は、極性半導体の面極性を判定する方法において、極性半導体に励起光を照射して得られるラマン散乱光を測定し、測定したラマン散乱光スペクトルから面極性を判定する極性半導体の面極性判定方法とする。ラマン散乱光スペクトルの強度から面極性を判定することができる。ラマン散乱光スペクトルにおける極性半導体に固有の折り返しモード波数域に存在する複数のラマン線の強度比から面極性を判定することができる。励起光として、極性半導体物質の吸収係数の逆数が400nm以下となる波長を有するレーザー光を用いることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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