光導波モードセンサー

開放特許情報番号
L2006000170
開放特許情報登録日
2006/1/20
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2007-534274
出願日 2006/7/10
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2007/029414
公開日 2007/3/15
登録番号 特許第4581135号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光導波モードセンサー用のチップ
技術分野 機械・加工、金属材料、その他
機能 検査・検出、その他
適用製品 光導波モードを利用して、被検出試料の検出高感度化を図ることができる光導波モードセンサー。
目的 高い感度で小さいサイズの被検出試料をラベルフリーで検出できる光導波モードセンサーを提供すること。
効果 高い感度で小さいサイズの被検出試料をラベルフリーで検出でき、長期的な信頼性が高く、安定している。
技術概要
光導波モードセンサーは、透明な誘電体材料又は透明な伝導体材料の基板とその上に被覆した反射膜と、反射膜上に形成した誘電体層とからなるチップを用い、チップの基板側から、反射膜に光を入射する光入射機構と、反射膜によって反射される光の反射光を検出する光検出機構と、を備える。入射光の一部又は全部が誘電体層からなる光導波路内を伝搬する光導波モードと結合することによって反射光強度が減少する光入射角度領域を用いて、誘電体層の表面に検出対象となる物質が吸着又は付着した際に生じる入射角度或いは反射光強度の変化を読み取ることによって、物質の検出を行う。反射膜は、元素の周期表の4〜14族の金属又はこれらを基とする合金から選択した一成分以上の金属薄膜である。誘電体層は酸化シリコン、ポリメチルメタクリル酸を主成分とするポリマー、金属酸化物、金属窒化物、半導体材料の酸化物、又は半導体材料の窒化物を主成分としている。基板上に形成された誘電体層とは反対側の面から照射されたp偏光又はs偏光の反射光を検出する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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