情報記録素子

開放特許情報番号
L2006000162
開放特許情報登録日
2006/1/20
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2005-255647
出願日 2005/9/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-073556
公開日 2007/3/22
登録番号 特許第4831659号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 情報記録素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機材料、不揮発性のメモリー効果を示す素子、携帯情報端末、耐衝撃性、有機材料を用いたメモリー効果
目的 成形・加工性に優れた情報記録素子とくに、誘電体層に不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子の提供。
効果 情報記録素子は、低い駆動電圧でメモリー性を発現させられるため、作動させる電力が少なくて済む。有機半導体の固体薄膜および金属電極により構成されているため、製造しやすいとともに、フィルム素子化、大面積素子化、フレキシブル素子化が可能であり、耐衝撃性にも強い。
技術概要
この技術は、陽極と陰極の間に少なくとも一層の有機薄膜を含有する情報記録素子において、少なくとも1層がデオキシリボ核酸(DNA)の薄膜で構成される情報記録素子とする。また、基板上に、ゲート電極、誘電体層、半導体層、ドレイン及びソース電極を有する電界効果型トランジスタであって、誘電体層を形成する成分の少なくとも一つがデオキシリボ核酸(DNA)である電界効果型トランジスタにより構成される情報記録素子とする。デオキシリボ核酸は、固体薄膜中においては、その主鎖が分子内に有する塩基間の水素結合を介して二重螺旋構造をとる。このため、側鎖の分極成分のみならず、その螺旋状の主鎖方向にも大きな分極成分を有する。この材料では、主鎖ならびに側鎖の分極成分が、外部電界の印加により共に変化する現象が得られ、このために大きな電圧−電流曲線においてヒステリシスが発現する。これがメモリー効果として利用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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