絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2006000153
開放特許情報登録日
2006/1/20
最新更新日
2007/6/1

基本情報

出願番号 特願2005-252408
出願日 2005/8/31
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-067229
公開日 2007/3/15
発明の名称 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体集積回路、高誘電率材料
目的 HfAlON膜中のHfとAl量(HfとAlの平均組成比)を変えることなく、また成膜温度を変えることなく、HfAlON膜中の窒素濃度を制御するとともに、HfAlON膜中の最大窒素濃度が10at. %以上を保持することで当該部分を非晶質化したHfAlON膜を備えた絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法の提供。
効果 本技術では、膜中の窒素濃度を変化させるものであるから、膜中の窒素濃度の制御が極めて単純となるという効果に加えて、HfON/酸化アルミウム/HfON構造の積層後の熱処理温度を600℃〜1000℃、処理時間を10〜60秒とする酸素アニーリングをすることにより、熱処理後に形成されるHfAlON膜の最大膜中窒素濃度を、非晶質化される10at.%以上にすることができる。
技術概要
この技術では、半導体基板上に直接もしくは絶縁膜を介して第1のHfON膜を形成する工程、第1のHfON膜上にAl↓2O↓3膜を介して第2のHfON膜を形成する工程、酸素雰囲気中でアニーリングする工程及び第2のHfON膜上にゲート電極を形成する工程を含む絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法において、半導体基板に近いHfON膜を膜中窒素濃度が10at.%以上のアモルファス膜とするようにAl↓2O↓3膜を介在させて酸素アニーリングする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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