基板に注入した不純物元素の深さ分布を測定する測定方法

開放特許情報番号
L2006000116
開放特許情報登録日
2006/1/20
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2005-237947
出願日 2005/8/18
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-051955
公開日 2007/3/1
登録番号 特許第4665169号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 基板に注入した不純物元素の深さ分布を測定する測定方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 X線反射率測定、非破壊、半導体デバイス
目的 不純物を注入した平坦な基板からなる被測定試料に、入射角度を走査しながらX線を入射し、被測定試料によって反射されたX線の干渉振動曲線を測定し、干渉振動曲線のデータから、被測定試料表面に注入された不純物元素の深さ分布を測定する不純物元素の深さ分布測定方法の提供。
効果 本技術は、不純物の深さ方向分布を非破壊で計測でき、また計算の時間は短く、収束しやすいという効果がある。また、解析結果は分布関数のモデルに対して唯一の解を与える。さらに、深さが10nm以下でも利用が可能であり、半導体デバイスプロセスにおける極浅注入試料の評価に極めて有効である。
技術概要
この技術では、数十nmの深さに不純物を注入した基板に、入射角度を走査しながらX線を入射し、被測定試料によって反射されたX線の干渉振動曲線を測定し、干渉振動曲線のデータから、被測定試料に注入された不純物元素の深さ分布を測定する。干渉振動曲線のデータの解析は、X線反射率を表す解析式に干渉振動曲線をフィッティングすることにより行う。この際、不純物分布を適当な関数に近似し、関数に含まれるパラメータを最適化することにより深さ分布を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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