二ホウ化マグネシウムの製造方法

開放特許情報番号
L2006000021
開放特許情報登録日
2006/1/6
最新更新日
2011/7/1

基本情報

出願番号 特願2005-087027
出願日 2005/3/24
出願人 国立大学法人群馬大学
公開番号 特開2006-265049
公開日 2006/10/5
登録番号 特許第4752049号
特許権者 国立大学法人群馬大学
発明の名称 二ホウ化マグネシウムの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機レジスト、微細加工、超伝導デバイス
目的 低温で二ホウ化マグネシウムを形成することにより、微細加工を安定して行うことを可能にする二ホウ化マグネシウムの製造方法の提供。
効果 100℃以下という比較的低温で、二ホウ化マグネシウム薄膜を形成することが可能になるため、有機材料の上に二ホウ化マグネシウム薄膜を形成しても、有機材料が融解することがなく、リフトオフ法による微細加工を行うことが可能になる。従って、半導体装置等の集積回路に、二ホウ化マグネシウム薄膜から成るデバイスを組み込むことが可能になる。
技術概要
この技術では、マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板とを反応室内に配置し、この反応室内でマグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板上に二ホウ化マグネシウムを形成する。ここで、二ホウ化マグネシウムを形成する際の基板の温度を100℃以下とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、1.0〜9.0の範囲内とする。即ち、MBE装置(分子線エピタキシー)を用い、真空ポンプ等により反応室内を真空にした後、ヒーターにより基板の温度が100℃以下、より好ましくは0℃〜100℃の範囲内にあるように制御する。このとき、反応室内の圧力は、1×10↑(−8)Pa以下の高真空とする。続いて、Kセルのアルミナ製ルツボ内のマグネシウムを、加熱して蒸発させると共に、EBガンにおいてボロン原料に電子ビームを照射して、カーボン製ルツボ内のボロンを蒸発させる。これにより、基板に、マグネシウム及びボロンが蒸着されて、二ホウ化マグネシウム薄膜が形成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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