多孔質半導体膜の形成方法、発光素子、及び光学センサ

開放特許情報番号
L2006000018
開放特許情報登録日
2006/1/6
最新更新日
2009/4/24

基本情報

出願番号 特願2004-331166
出願日 2004/11/15
出願人 国立大学法人群馬大学
公開番号 特開2006-140426
公開日 2006/6/1
登録番号 特許第4257431号
特許権者 国立大学法人群馬大学
発明の名称 多孔質半導体膜の形成方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 陽極化成法、多孔質膜形成プロセス
目的 可視から紫外で発光が可能な多孔質半導体膜を、簡便かつ再現性よく形成する多孔質半導体膜の形成方法の提供。
効果 可視から紫外で発光が可能な多孔質半導体膜を、簡便かつ再現性よく形成することができる。又、可視から紫外で発光が可能な発光素子及びセンサを提供することができる。
技術概要
この技術では、半導体基板としてn型シリコン結晶基板を用意し、シリコン結晶基板を、トリクロロエチレン(トリクレン)、アセトン、及びアルコールで順に脱脂洗浄した後、基板面が上を向くように、1Mのフッ化カリウム(KF)の水溶液に浸漬する。水溶液は定性的には弱アルカリ性であるが、そのpHは約7(ほぼ中性)である。励起光を照射する光源として、発振波長632.8nmのHe−Neレーザを用い、20℃の室温下、シリコン結晶基板をKF水溶液に浸漬した状態で、シリコン結晶基板の基板面の全面に、波長632.8nmのレーザ光を5mWの強度で照射する。レーザ光を3時間照射した後、KF水溶液からシリコン結晶基板を引き上げる。シリコン結晶基板は、基板面からエッチングされ、多孔質化されて変色し、この変色した部分が、多孔質シリコン膜である。シリコン結晶基板の表面を洗浄し、乾燥した後、多孔質シリコン膜上に、透明電極として酸化インジウム(In↓2O↓3)薄膜を形成し、発光素子を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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