多孔性配位高分子およびそれからなる触媒

開放特許情報番号
L2005011192
開放特許情報登録日
2005/12/16
最新更新日
2023/1/24

基本情報

出願番号 特願2005-067871
出願日 2005/3/10
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2006-248989
公開日 2006/9/21
登録番号 特許第4783894号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 多孔性配位高分子およびそれからなる触媒
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 多孔性配位高分子およびそれからなる触媒
目的 配位子および金属イオンからなり、配位子と金属イオンが交互に配位結合されてなる新規な多孔性配位高分子、および多孔性配位高分子からなる触媒作用の高い触媒を提供する。
効果 アミド基を有する三座以上の配位子および金属イオンからなり、配位子と金属イオンが交互に配位結合されてなる新規な多孔性配位高分子を用いることによって、触媒作用の高い触媒を提供できる。
技術概要
 
多孔性配位高分子は、アミド基を有する三座以上の配位子及び金属イオンからなり、配位子と金属イオンが交互に配位結合されてなる高分子化合物である。多孔性配位高分子とは、有機物である配位子と無機物である金属イオンが自己集合的に組みあがっており、温度やゲストの吸脱着などの外部刺激により細孔や骨格構造が変化する。この多孔性配位高分子では、配位子にアミド基を有しており、このアミド基が水素結合による選択的ホスト−ゲスト間相互作用の場、さらには新たなゲスト反応場を提供する。細孔の面積は、30〜300Å↑2が好ましく、50〜200Å↑2がより好ましい。配位子は、三座以上であって、分子内にアミド基を有していれば特に限定されない。触媒作用が高いという点から、式1で表される1,3,5−ベンゼントリカルボキシ酸トリス[N−(4−ピリジル)アミド](4−btapa)が好ましい。金属イオンは、亜鉛イオン、カドミウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオンなどが好ましい。図1は、二次元平面が積層した結晶構造を示す図である。図2は、細孔中のDMFとアミド結合とが水素結合を形成した結晶構造である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
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登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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