有機半導体装置

開放特許情報番号
L2005009801
開放特許情報登録日
2005/10/21
最新更新日
2007/3/2

基本情報

出願番号 特願2005-199812
出願日 2005/7/8
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-019291
公開日 2007/1/25
発明の名称 有機半導体装置
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機半導体装置
目的 多数の分子材料に一般的に適用が可能な、有機半導体薄膜層との間でキャリヤを効率よく出し入れするための電気的接点となる電極及び電流を流すための電流経路となる導電性の高い層を有機半導体薄膜層に積層した電界効果トランジスタを提供する。
効果 導電性の高い数ナノメートル程度の界面電荷移動層を薄膜トランジスタのソース、ドレイン領域及びその引き出し電極としたため、薄くて、高性能・高信頼性のある有機半導体薄膜電界効果トランジスタが得られる。
技術概要
薄膜トランジスタの能動領域を構成し、弱い電子供与性分子からなる有機半導体層10と、有機半導体層に重ねて形成された強い電子授容性分子からなる、一対の有機化合物分子層20を備え、有機半導体層と有機化合物分子層との界面に形成される電荷移動層30を薄膜トランジスタのソース、ドレイン領域及びその引き出し電極とした有機半導体装置である。有機半導体層は、ペンタセン膜であり、有機化合物分子層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン膜である。(図1参照)有機半導体薄膜電界効果トランジスタは、図2の上面外観図及び図3又は図4の断面図に示すような構造を有する。3個の空間的に離間された接点1、2、3を有する。ゲート電極に相当する接点1は、基板又は基板上に形成された導体膜50を介して、誘電体層40と接触している。誘電体材料は、例えば二酸化珪素、窒化珪素、ポリイミド、ポリエチレン、ポリパラキシリレン(パリレン)、酸化アルミニウムなどが使用される。図3、図4の有機半導体薄膜トランジスタにおける有機半導体層10の厚みは通常、約150nm〜約5nmである。ペンタセン等の有機電荷移動型錯体系の有機半導体が用いられる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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